[发明专利]一种薄膜体声波谐振器的制造方法在审
申请号: | 202010995776.7 | 申请日: | 2020-09-21 |
公开(公告)号: | CN114257195A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 黄河 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/17 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 刘亭 |
地址: | 201210 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的制造方法,包括:形成第一电极、第二电极和压电层,其中压电层位于第一电极和第二电极之间;在第一电极上形成支撑层;图形化支撑层,形成贯穿支撑层的第一空腔;在支撑层上形成第一衬底,第一衬底遮盖第一空腔;第一电极、第二电极至少其中之一具有拱形桥,具有拱形桥的电极的形成方法包括:形成环形牺牲凸起;沉积导电材料层,覆盖环形牺牲凸起及环形牺牲凸起周边区域;去除环形牺牲凸起形成环形空隙。本发明用电极的拱形桥结构从有效谐振区的外周包围整个有效谐振区,提高了谐振器的机械强度。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 声波 谐振器 制造 方法 | ||
【主权项】:
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