[发明专利]一种薄膜体声波谐振器的制造方法在审
| 申请号： | 202010995803.0 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN114257196A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 黄河 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/13;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 刘亭 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的制造方法，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的上表面形成空腔；在所述空腔中形成牺牲层；在所述第一衬底上、所述牺牲层上依次形成叠置的第一电极、压电层和第二电极；所述第一电极、所述第二电极至少其中之一具有环形拱形桥，所述环形拱形桥背离所述压电层凸起，所述环形拱形桥的内表面围成环形空隙；去除所述牺牲层。本发明第一电极和/或第二电极形成环形拱形桥结构，环形拱形桥围成封闭的环形，环形拱形桥与压电层所在平面的表面形成环形空隙，使有效谐振区边界处的第一电极和/或第二电极的端部与空隙的气体接触，从而达到消除有效谐振区的电极的边界杂波的效果，进而提升谐振器的Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 声波 谐振器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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