[发明专利]一种四氧化三钴纳米线阵列负极材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010996216.3 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112331845B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 鲍瑞;张腾;方东;易健宏 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/52 | 分类号： | H01M4/52;H01M10/0525;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 昆明人从众知识产权代理有限公司 53204 | 代理人： | 李晓亚 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本发明公开一种四氧化三钴纳米线阵列负极材料的制备方法，分别称取钴盐、尿素和氟化铵，将其放入去离子水中，搅拌溶解；将混合溶液作为电沉积溶液，以预处理后的钛箔作为工作电极，恒电位电沉积，分别用去离子水和无水乙醇洗涤电沉积产物，干燥，得到的钛箔表面负载有Co |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 纳米 阵列 负极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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