[发明专利]一种沟槽型MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010996895.4 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112259598A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江 | 申请（专利权）人： | 倪炜江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种沟槽型MOSFET器件及其制备方法，从下到上依次包括漏极、n+衬底、n+缓冲层、n‑漂移层、CSL层、p+埋层、p阱、p+区和n+区、栅介质、多晶硅栅、栅源隔离介质、源电极；器件的有源区有两类不同结构的原胞组成，其中一类原胞为MOSFET导电原胞A；另一类原胞为对沟槽栅结构进行电场屏蔽的原胞B，原胞B中p+埋层通过其上方的p+区与源极电联通；在平行于纸面方向，同一类原胞左右并联，在垂直于纸面的纵深方向，两类原胞交替排列，形成导电与屏蔽区域。本申请通过两类原胞的有序且一定方法的排列，最终既能实现对沟槽栅的屏蔽同时又能获得非常精细的原胞尺寸。且本申请的器件结构和制备工艺简单，利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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