[发明专利]一种高纯锗探测器

摘要

本文公开了一种高纯锗探测器，本发明实施例以P型高纯锗晶体作为主体的高纯锗探测器，通过包括中心电极和外表面电极的同轴电极形成均匀的可引起载流子倍增的强电场；基于包含电子阻挡层和空穴阻挡层的载流子阻挡层形成阻挡接触，降低载流子扩散电流；通过环形的保护电极收集晶体表面漏电流中的载流子，阻止这些载流子进入载流子倍增的强电场区域；基于上述结构实现了载流子的倍增，阻止了表面漏电流中载流子的倍增，降低了高纯锗探测器的能量阈值。