[发明专利]SRAM器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种本发明提供的SRAM器件及其形成方法，有选择性的刻蚀所述刻蚀阻挡层和保护层，使保护层在形成开孔的刻蚀过程中能很好的保留，保护层具有高致密性，在形成开孔的过程中可对侧墙起到很好的保护作用。形成共享接触孔后，共享接触孔下方的侧墙依然保留，侧墙能很好的保护轻掺杂区，避免形成漏电通道，从而提升SRAM器件器件的可靠性和电性能。形成仅覆盖侧墙的保护层；保护层覆盖所述侧墙起到保护侧墙的作用，侧墙以外的其他区域没有保护层覆盖，特别是源极（或漏极），如此一来，刻蚀阻挡层与源极（或漏极）直接接触，高拉伸张力的刻蚀阻挡层可提升晶体管载流子的迁移率。