[发明专利]寄生式LDMOS器件及其制作方法有效
申请号: | 202010999539.8 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN111969064B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 葛薇薇 | 申请(专利权)人: | 杰华特微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 | 代理人: | 唐灵;赵杰香 |
地址: | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种寄生式LDMOS器件及其制作方法,其中,所述寄生式LDMOS器件包括:衬底、形成于所述衬底上的外延层、形成于所述外延层中的LDMOS器件和肖特基二极管。通过设计一种肖特基二极管的接入可控的结构,使得肖特基二极管的电流只在需要形成续流时才会由漂移区导通至LDMOS的漏极,而在非工作状态下,肖特基二极管将被隔离,从而杜绝肖特基二极管的对LDMOS器件带来的不利影响,克服现有技术中存在的不足。 | ||
搜索关键词: | 寄生 ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰华特微电子股份有限公司,未经杰华特微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010999539.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类