[发明专利]存储器阵列的印迹恢复在审
申请号: | 202011000948.9 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN112631829A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | J·J·斯特兰德;S·S·巴苏塔;S·B·拉克什曼;J·D·哈姆斯 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F11/14 | 分类号: | G06F11/14 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及存储器阵列的印迹恢复。在一些情况下,存储器单元可被压印,压印可以指其中单元倾向于存储一个逻辑状态而不是另一逻辑状态、不易被写入不同的逻辑状态或这两种情况均存在的状况。经压印存储器单元可以使用恢复或修复过程来恢复,此过程可以根据各种条件、检测或推断发起。在一些实例中,一种系统可配置成执行根据印迹的所表征严重性、操作模式、环境条件和其它因素进行调整或选择的印迹恢复操作。印迹管理技术能够提高存储器系统或其组件在存在与存储器单元压印相关联的条件的情况下能够操作的稳固性、准确性或效率。 | ||
搜索关键词: | 存储器 阵列 印迹 恢复 | ||
【主权项】:
暂无信息
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