[发明专利]存储器阵列的印迹恢复在审

专利信息
申请号: 202011000948.9 申请日: 2020-09-22
公开(公告)号: CN112631829A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: J·J·斯特兰德;S·S·巴苏塔;S·B·拉克什曼;J·D·哈姆斯 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F11/14 分类号: G06F11/14
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请涉及存储器阵列的印迹恢复。在一些情况下,存储器单元可被压印,压印可以指其中单元倾向于存储一个逻辑状态而不是另一逻辑状态、不易被写入不同的逻辑状态或这两种情况均存在的状况。经压印存储器单元可以使用恢复或修复过程来恢复,此过程可以根据各种条件、检测或推断发起。在一些实例中,一种系统可配置成执行根据印迹的所表征严重性、操作模式、环境条件和其它因素进行调整或选择的印迹恢复操作。印迹管理技术能够提高存储器系统或其组件在存在与存储器单元压印相关联的条件的情况下能够操作的稳固性、准确性或效率。
搜索关键词: 存储器 阵列 印迹 恢复
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011000948.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top