[发明专利]一种改善高阻膜方阻稳定性的方法及系统在审
| 申请号： | 202011001933.4 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112111715A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 陈明飞;王金科;朱启煌;刘永成;龙泷;谭宏 | 申请（专利权）人： | 长沙壹纳光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;H01B5/14 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 肖云 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善高阻膜方阻稳定性的方法及系统，包括以下步骤：在经等离子清洗后的基片上通过真空溅射法溅射靶材得到所述高阻膜；所述基片温度为90～150℃；所述靶材与基片间的距离为90～120mm。本发明通过改善高阻膜的制备工艺，提高膜层方阻稳定性；本发明方案的工艺气体吹向靶面，使溅射气氛中的氧与溅射的靶材原子团充分接触，使得高阻膜氧化充分，进而改善高阻膜方阻稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 高阻膜方阻 稳定性 方法 系统 | ||
【主权项】：
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