[发明专利]半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 202011002431.3 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112750765A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;陈明发;陈英儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/24;H01L23/544 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的制作方法包括以下步骤。提供半导体晶片，半导体晶片包括集成电路组件、分别环绕集成电路组件的密封环及设置在密封环之间的测试结构。至少沿第一路径执行第一晶片锯切工艺，以将半导体晶片单体化成多个第一单体化集成电路组件，所述多个第一单体化集成电路组件各自包括测试结构之中的一测试结构。当执行第一晶片锯切工艺时，测试结构的测试接垫位于第一路径旁边，使得第一单体化集成电路组件中的测试结构中的对应的一个测试结构的测试接垫在侧向上与第一单体化集成电路组件的侧壁间隔开一定距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
