[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202011004332.9 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112750907A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 万政典;李名镇 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构，包括：半导体堆叠，在基板上方，其中每个该半导体堆叠在第一方向上延伸，并且相邻的半导体堆叠在不同于该第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中每个该半导体堆叠包括：沟道层，位于该基板上方并在第三方向上彼此间隔开，其中该第三方向垂直于该第一方向和该第二方向；以及栅极结构，包括：围绕相应的该沟道层的栅极介电层；以及沿着该栅极介电层的侧壁和该栅极介电层的最上面的栅极介电层的顶表面的栅电极，其中，该沟道层的两个最下面的沟道层之间沿第三方向的间距大于该沟道层的两个最上面沟道层之间沿第三方向的间距。这样可以获得每个半导体堆叠中包括沟道层的纳米片晶体管的更均匀的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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