[发明专利]场效应晶体管器件、制备方法及电池管理系统

摘要

本公开提供了一种场效应晶体管器件，包括：衬底，分为第一区和第二区，以与衬底的纵向方向垂直且位于衬底的中间位置的假想线为基准，第一区位于衬底的纵向方向的上侧，第二区位于衬底的纵向方向的下侧，在第一区的衬底上形成有第一场效应晶体管结构，第一区的衬底上形成有第一栅极结构，第一栅极结构之上形成有第一源极结构，在第二区的衬底上形成有第二场效应晶体管结构，第二区的衬底上形成有第二栅极结构，第二栅极结构之下形成有第二源极结构，并且通过第一区的衬底和第二区的衬底来实现第一场效应晶体管结构的第一漏极结构和第二场效应晶体管结构的第二漏极结构相互连接。本公开还提供了场效应晶体管器件的制备方法及电池管理系统。