[发明专利]半导体结构制备方法、半导体器件和电子装置有效
| 申请号： | 202011005389.0 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN114256325B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 余林蔚;胡瑞金;刘俊彦;陈英杰;刘至哲;吴欣凯;刘云飞 | 申请（专利权）人： | 荣耀终端有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 焦志刚 |
| 地址： | 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体结构制备方法、半导体器件和电子装置，涉及微电子技术领域，可以提高制备多条层叠纳米线时纳米线的均匀度，从而提高了应用该纳米线的半导体器件的性能。半导体结构制备方法包括：形成基材层，并在基材层上设置第一沟槽和第二沟槽，每个第一沟槽的宽度以及每个第二沟槽的宽度为A1，15nm≤A1≤30nm，任意相邻的两个第一沟槽之间的距离为A2，任意相邻的两个第二沟槽之间的距离为A2，20nm≤A2≤60nm；在每个第一沟槽和每个第二沟槽中形成催化金属；进行退火处理，在第一表面，催化金属沿着对应的第一沟槽移动，形成第一掺杂的第一纳米线，在第二表面，催化金属沿着对应的第二沟槽移动，形成第二掺杂的第二纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
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