[发明专利]改善雪崩能力的超结终端结构及制造方法在审
| 申请号： | 202011005472.8 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112349769A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 肖晓军;张园园;张军亮 | 申请（专利权）人： | 西安龙飞电气技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善雪崩能力的超结终端结构制造方法，在N+衬底上生长N‑外延；在N‑外延注入N型杂质，在终端区的注入尺寸为X3＞X2＞X1；在N‑外延表面，刻蚀出深沟槽后生长P型外延，使之填充满深沟槽；进行CMP工艺，将深沟槽外的P型外延及N‑外延一并去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；通过PW光刻板注入体区并退火形成PWELL区；淀积场氧层成并回刻，通过栅氧、多晶硅淀积回刻形成gate，再注入As或P，推阱形成N‑source；淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。本发明在相同的雪崩能力要求下，可以有效的减小终端面积，提高器件的电流处理能力，降低器件成本。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 雪崩 能力 终端 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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