[发明专利]一种S掺杂Te空位型2H MoTe2

摘要

本发明提供了一种合成2H相MoTe2的制备方法和应用，得到了负载于N掺杂碳布上富含Te空位的S掺杂2H相MoTe2二维纳米片，并用作电催化产氢材料。具体技术方案：利用MoS2/NCC纳米片为前驱体，在氩氢气中与Te粉反应煅烧，将其原位转化为导电基底负载型2H MoTe2/NCC，同时含有S掺杂的Te空位缺陷。碳布基底保证碲化过程中纳米片分散性，并能促进电子传输。S掺杂和Te空位的协同效应有效提高2H相MoTe2为电催化产氢材料性能。本发明制备过程简单，重复性高，产物稳定，实现了较大电流密度产氢，为其实际应用奠定了基础。