[发明专利]LPDDR测试方法、装置、可读存储介质及电子设备有效
| 申请号： | 202011005999.0 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112102875B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;李振华;雷泰 | 申请（专利权）人： | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 郑昱 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种LPDDR测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，对待测试的LPDDR先进行基于第一预设读写单元的对半读写访问操作，再进行基于第二预设读写单元的对半读写访问操作，第一预设读写单元与第二预设读写单元不同，由于预设读写单元的对半读写访问是从预设读写单元的中间位置开始同时向两端进行读写，并且进行的是两次不同预设读写单元的对半读写访问，因此，能够构造出适合于发生临近模式敏感故障的读写环境，相较于现有的顺序读写测试方式，更容易命中临近模式敏感故障，不仅能够检测出单cell和多cell故障，而且也易于检测出临近模式敏感故障，提高了测试LPDDR时的故障覆盖率。 | ||
| 搜索关键词： | lpddr 测试 方法 装置 可读 存储 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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