[发明专利]用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法有效
| 申请号： | 202011007390.7 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN114252465B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 刘明德 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251;G01N23/2202 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 该发明公开了一种用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，包括提供半导体样片，所述半导体样片包括层叠设置的牺牲层、支撑层和贯穿所述牺牲层和所述支撑层以暴露底部金属层表面凹坑的凹槽；将所述半导体样片置于刻蚀溶液中进行浸泡以去除所述牺牲层；于去除所述牺牲层后的半导体样片的表面黏贴胶带；将所述胶带撕除以去除所述凹坑上方的所述支撑层，裸露出所述凹坑。所述制备方法方法简单，且大大减小了用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备时间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 显微镜 刻蚀 半导体 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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