[发明专利]解决管芯高度差异的导热层的3D构造在审
| 申请号： | 202011009982.2 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113013115A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 万志敏;C·M·扎;J-Y·常;C-P·邱;L·王 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L25/18;H01L25/16;H01L21/98 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例涉及封装半导体器件。更特别地，实施例涉及具有不同高度的管芯和用以解决管芯高度差异的导热层的三维构造的半导体器件。实施例包括半导体封装和形成这样的封装的方法。一种半导体封装包括封装衬底上的第一、第二和第三微电子器件。第一微电子器件具有与第二微电子器件的顶表面基本上共面的顶表面。第三微电子器件具有高于第一和第二微电子器件的顶表面的顶表面。半导体封装包括第一和第二微电子器件上的第一传导层，以及第三微电子器件上的第二传导层。第二传导层具有比第一传导层的厚度更小的厚度，以及与第一传导层的顶表面基本上共面的顶表面。半导体包括第一和第二传导层上的热界面材料。第一和第二传导层由铜、银、氮化硼或石墨烯组成。 | ||
| 搜索关键词： | 解决 管芯 高度 差异 导热 构造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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