[发明专利]微型发光二极管外延片的生长方法在审
| 申请号： | 202011012272.5 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112310251A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;C23C16/455;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种微型发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长N型层、有源层和P型层；在衬底上生长N型层包括：在衬底上生长多个周期交替生长的第一N型层和第二N型层；其中，向反应室内通入氢气和硅烷，在高温条件下生长第一N型层，第一N型层为掺Si的GaN层；停止向反应室内通入氢气和硅烷，同时降低反应室内温度，在第一N型层上生长第二N型层，第二N型层为不掺杂的GaN层。采用该生长方法可以反复多次释放N型层中的应力，大大改善外延片的翘曲，使得微型发光二极管各项参数的一致性更好，满足微型发光二极管各项参数的高一致性的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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