[发明专利]一种功率器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202011012348.4 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN111933690B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张景超;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 陈红桥 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率器件，包括N基体、P‑外延层和栅极，所述N基体上形成P‑外延层，所述P‑外延层内设有沟槽，所述P‑外延层内形成有相互隔离的第一N+层和第二N+层,所述第一N+层电连接位于所述P‑外延层表面的源极，所述第二N+层电连接位于所述N基体底部的漏极，所述栅极至少一部分形成在所述沟槽内，且所述栅极沿着所述第一N+层和第二N+层的排布方向延伸，当所述栅极施加开启电压时，所述第一N+层和第二N+层之间的P‑沟道层形成横向的导电沟道。本发明提供的一种功率器件，增加了导电沟道的宽度，降低了沟道电阻，同时可保护栅氧化层，防止栅氧化层烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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