[发明专利]氟掺杂的羟基氧化镍前驱体、氟掺杂的氧化镍及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011012376.6 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112110500B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 洪果;仲云雷 | 申请（专利权）人： | 澳门大学 |
| 主分类号： | C01G53/04 | 分类号： | C01G53/04;H01M4/52;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 王晖;刘书芝 |
| 地址： | 中国澳门*** | 国省代码： | 澳门;82 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了氟掺杂的羟基氧化镍前驱体、氟掺杂的氧化镍及其制备方法和应用，涉及电池材料技术领域。氟掺杂的羟基氧化镍前驱体的制备方法通过以镍源、氟化物和沉淀剂为原料进行水热反应，使氟离子吸附于材料上，形成含有F的前驱体羟基氧化镍前驱体。该前驱体呈多层堆叠的结构，且呈六棱柱状，可以通过煅烧制备具有更高赝电容效应和导电性能的氧化镍，该氟掺杂的氧化镍倍率性能和长循环性能获得明显的提升，可以在锂离子电池中得到应用，可以制备形成氧化镍电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 羟基 氧化 前驱 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于澳门大学，未经澳门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011012376.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
