[发明专利]三维（3D）存储器阵列中的集成字线触点结构在审
| 申请号： | 202011012817.2 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112864161A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | N·K·查克拉瓦蒂;K·N·伊森;A·特里帕蒂;E·L·梅斯;J·S·卡治安;R·宾根内尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/115 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘文灿 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种包括集成字线(WL)触点结构的存储器阵列。存储器阵列包括多个WL，多个WL至少包括第一WL和第二WL。集成WL触点结构包括分别用于第一WL和第二WL的第一WL触点和第二WL触点。第二WL触点延伸穿过第一WL触点。例如，第二WL触点嵌套在第一WL触点内。中间隔离材料将第二WL触点与第一WL触点隔离。在示例中，第二WL触点延伸穿过第一WL中的孔以到达第二WL。隔离材料将第二WL触点与第一WL中的孔的侧壁隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 阵列 中的 集成 触点 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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