[发明专利]一种新型P型晶硅电池背接触钝化制备工艺在审
| 申请号： | 202011013645.0 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112071959A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 杨飞飞;鲁贵林;赵科巍;张云鹏;郭丽;李雪方;吕爱武;杜泽霖;李陈阳 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型P型晶硅电池背接触钝化制备工艺，背面激光开槽后，采用热扩散方式，在背极制备硼重掺层，背极制备硼重掺层制备过程中，首先以10slm的流量通N2，升温至900℃，并等待5min；然后在保持氮气流量不变到的情况下在氮气中携带BBr3，BBr3流量为200‑400sccm，并且在通入BBr3同时通入150‑300sccm的O2，由900‑960℃进行等速率变温沉积，时间5‑10min；待温度升至960℃后，通入6‑10slm的N2、4‑6slm的O2，进行高温推进，时间3‑5min；最后通入10slm的N2，由960‑840℃进行降温退舟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 型晶硅 电池 接触 钝化 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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