[发明专利]一种真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法有效
| 申请号： | 202011014076.1 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112144086B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 戴永年;刘国豪;杨佳;张君;钱春旭;徐宝强;杨斌;李绍元;曲涛;万贺利;马文会;李一夫;田阳;蒋文龙;熊恒;刘大春 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D21/04;C25D5/00;C25D5/54 |
| 代理公司： | 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246 | 代理人： | 朱维 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明针对传统电沉积存在结构较为松散、容易产生空洞、成分不易控制、形貌较差等缺陷，将电化学反应器内部气压维持在较低气压下，并对置于电解液中的导电基底施加电势，实现半导体快速沉积从而获得半导体硒化物。真空体系可以有效的改善溶液法合成硒化物半导体的形貌和结构，使其硒化物半导体形貌良好、颗粒细小且致密、氧含量低、成膜效率高。本发明方法可有效降低硒化物半导体的制备成本，易于实现半导体材料大面积沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 电化学 沉积 制备 硒化物 半导体 方法 | ||
【主权项】：
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