[发明专利]一种基于软磁薄膜的中子自旋翻转装置及其应用有效
| 申请号： | 202011014221.6 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112093520B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王亭亭;屠小青;伊圣振;王燕;王云;王宗悦 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
| 主分类号： | B65H15/00 | 分类号： | B65H15/00 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 冯玲玲 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于软磁薄膜的中子自旋翻转装置及其应用，所述装置包括软磁薄膜、用于安装软磁薄膜的薄膜支架、与薄膜支架连接的位置调节机构、及用于固定支撑位置调节机构的固定支架。本发明装置采用软磁薄膜作提供面内局部强磁场，该磁场以小角度倾斜放置，使得内部磁场与中子极化方向几乎垂直，极化中子在薄膜内部发生拉莫尔进动，在合适的薄膜厚度下，中子极化方向旋转接近180°，达到几乎翻转的效果。为满足薄膜磁性和厚度的要求，本发明采用了磁控溅射的方法制备高饱和磁感应强度的软磁薄膜，为满足高安装精度和可调倾斜角度的安装要求，为自旋翻转薄膜配备了高精度的位置调节机构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 薄膜 中子 自旋 翻转 装置 及其 应用 | ||
【主权项】：
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