[发明专利]一种提升碲化镉电池稳定性的方法有效
| 申请号： | 202011014327.6 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN111969084B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 赵雷;潘锦功;傅干华;蒋猛;彭寿 | 申请（专利权）人： | 成都中建材光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提升碲化镉电池稳定性的方法，包括如下步骤：S1碲化镉太阳能组件经过层压及接线盒安装；S2短接碲化镉太阳能组件的电池的正负极端子；S3使用白色激光照射组件照射碲化镉太阳能组件。本发明的提升碲化镉电池稳定性的方法使得铜离子不会扩散到窗口层，减少了因为铜离子扩散引起的短路及电池内部缺陷，增强了电池的稳定性和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 碲化镉 电池 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
