[发明专利]可减少难编程的存储单元编程干扰的编程方法在审

专利信息
申请号: 202011016844.7 申请日: 2020-09-24
公开(公告)号: CN112116944A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 徐明揆;刘梦 申请(专利权)人: 深圳市芯天下技术有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/10
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 郭伟刚
地址: 518000 广东省深圳市龙岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种可减少难编程的存储单元编程干扰的编程方法,包括以下步骤:步骤S1、采用编程电压,对NAND FLASH的存储区域的存储单元进行编程操作;步骤S2、采用第一校验电压,对被编程的存储单元进行第一校验操作,若校验成功,则进入步骤S3;若校验失败,则回到步骤S1;步骤S3、采用第二校验电压,对被编程的存储单元进行第二校验操作,若校验成功,则结束;若校验失败,则进入步骤S4;其中,第一校验电压小于第二校验电压;步骤S4、对所述循环次数加1计数,如所述循环次数计数达到预设次数阈值则结束;若否,则执行步骤S5;步骤S5、提高编程电压,然后回到步骤S1。本发明的编程方法设计新颖,可有效减少编程干扰。
搜索关键词: 减少 编程 存储 单元 干扰 方法
【主权项】:
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