[发明专利]薄膜电极制造方法、薄膜电极及存储器有效
| 申请号： | 202011018680.1 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112281116B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 杨帆;白志民;王宽冒;罗建恒 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/54;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜电极制造方法、薄膜电极及存储器。薄膜电极制造方法包括：在工艺开始后的第一时长，通入惰性气体轰击预设金属靶材，以在基板表面形成预设金属单质膜层；在第一时长后的第二时长，通入反应气体和惰性气体的混合气体，其中，在通入混合气体的过程中，逐渐减小惰性气体的流量，同时逐渐增大反应气体的流量，以在预设金属单质膜层上形成预设金属单质和预设金属与反应气体的化合物的混合过渡膜层；在第二时长后的第三时长，继续通入反应气体，同时停止输入惰性气体，以在混合过渡膜层上形成预设金属和反应气体的化合物膜层。实现改善金属单质膜层与化合物膜层之间的接触特性，提高电极性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电极 制造 方法 存储器 | ||
【主权项】：
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