[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011020940.9 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN114256412A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 郭致玮 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包含一电阻式随机存取存储器(RRAM)，一第一间隙壁结构，位于该电阻式随机存取存储器的两侧，一第二间隙壁结构，位于该第一间隙壁结构的外侧，其中该第二间隙壁结构包含有金属材料或是金属氧化物材料，以及一第三间隙壁结构，位于该第二间隙壁结构的外侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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