[发明专利]相互并联的两个约瑟夫森结及量子比特装置的制备方法有效
| 申请号： | 202011020968.2 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN114256407B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 张辉 | 申请（专利权）人： | 本源量子计算科技（合肥）股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N60/01 | 分类号： | H10N60/01;H10N60/12;G06N10/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了相互并联的两个超导约瑟夫森结及量子比特装置的制备方法，属于量子计算技术领域。本发明通过确定衬底上的接触区，接触区包括第一区域、第二区域和第三区域；形成覆盖第一区域的第一隔离层、覆盖第二区域的第二隔离层和覆盖第三区域的第三隔离层；形成覆盖第一隔离层、第二隔离层及第三隔离层的掩膜层于衬底上，并在掩膜层上形成窗口；以掩膜层为掩膜，刻蚀第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层；形成第一超导材料层和势垒层于第一区域、第二超导材料层于第二区域和第三区域；剥离掩膜层，即获得相互并联的两个超导约瑟夫森结。本发明能够避免目前量子芯片上制备并联的超导约瑟夫森结时，在约瑟夫森结与衬底接触区域产生残胶的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 相互 并联 两个 约瑟夫 量子 比特 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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