[发明专利]一种内存性能测试方法、装置及芯片在审
申请号: | 202011022016.4 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN112256502A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 文超 | 申请(专利权)人: | 新华三半导体技术有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22;G06F11/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自由*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了一种内存性能测试方法、装置及芯片,应用于芯片的主核处理器中,该芯片外挂有内存,该芯片还包括至少一个从核处理器,该方法包括:主核处理器向至少一个从核处理器分别发送第一中断IPI指令,第一IPI指令用于指示开始执行内存的性能测试任务;在等待时间到达时,向每个从核处理器发送第二IPI指令,该第二IPI指令用于指示停止执行内存的性能测试任务;获得每个从核处理器在执行内存的性能测试任务时所测试的内存的内存空间占用的内存空间大小;根据发送第一IPI指令与发送第二IPI指令之间的时间差和每个从核处理器所测试的内存的内存空间占用的内存空间大小,确定内存的内存性能测试结果。由此提供了内存性能测试结果的准确性。 | ||
搜索关键词: | 一种 内存 性能 测试 方法 装置 芯片 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新华三半导体技术有限公司,未经新华三半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011022016.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种直流应急供电系统
- 下一篇:一种无人自卸车在垃圾填埋场自动卸载的方法