[发明专利]一种在存储器中实现乘法和或逻辑运算的SRAM电路结构有效
| 申请号： | 202011023036.3 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112116937B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 蔺智挺;蔡江涛;张劲;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;赵强;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在存储器中实现乘法和或逻辑运算的SRAM电路结构，包括双字线的8T SRAM单元，具体由8个传输管构成，2对NMOS晶体管与PMOS晶体管的组合构成了两个交叉耦合的反相器，反相器的一端接Q另一端接QB；字线WLL和WLR组成双字线信号，一对PMOS晶体管和NMOS晶体管的控制开关分别接字线WLL与WLR，另一对NMOS晶体管和PMOS晶体管的控制开关分别接信号WLL_VICE和WLR_VICE；或逻辑运算是在单独的8T SRAM中实现，运算数据分别存储在单元和WLL_VICE中，计算结果由RBL是否放电来体现。该电路结构能够提升运算速度和效率，并减少数据搬移过程产生的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 实现 乘法 逻辑运算 sram 电路 结构 | ||
【主权项】：
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