[发明专利]影像感测器结构在审
| 申请号： | 202011023512.1 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN113206110A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 米塔艾民;吴扬;金起弘 | 申请（专利权）人： | 恒景科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘佳斐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种影像感测器结构，其具有相邻的可见光感测区及红外光感测区，且其包含半导体基板、多个光感测元件、红外光吸收增强件、彩色滤光器和红外光通过滤光器。半导体基板具有相对的前侧及背侧。此些光感测元件设置在半导体基板的前侧。红外光吸收增强件设置在该半导体基板的背侧且仅在红外光感测区中。彩色滤光器位于半导体基板的背侧上且在可见光感测区中。红外光通过滤光器位于红外光吸收增强件上。 | ||
| 搜索关键词： | 影像 感测器 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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