[发明专利]一种深紫外LED封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011023842.0 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112201648A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 李文博;孙钱 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东（佛山）研究院 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/62 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈嘉毅 |
| 地址： | 528225 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种深紫外LED封装结构及其制备方法，其中无机深紫外LED封装结构包括陶瓷基板、玻璃盖板和LED芯片，陶瓷基板安装有若干个LED芯片，玻璃盖板贴合在陶瓷基板装有LED芯片一侧；玻璃盖板设置有容纳LED芯片的凹槽，凹槽的内表面与LED芯片的边缘贴合或留有间隙。采用平面陶瓷基板大大降低器件材料成本，直接采用平面玻璃盖板上设置有容纳LED芯片的凹槽，凹槽大小与LED芯片的大小相等或略大于LED芯片，因此玻璃盖板在盖合后，深紫外LED芯片与玻璃盖板几乎完全贴合，光线直接由LED芯片射入玻璃盖板，减少一次介质损失，芯片与盖板之间间隙较小甚至没有，不需考虑真空封装或空气封装问题，减少影响可靠性因素,提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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