[发明专利]一种钙钛矿与GaAs串联叠层太阳电池的制备方法在审
申请号: | 202011024108.6 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN112289887A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 高芳亮;刘泓良;李述体;章勇;李东阳;项翎 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 杨艳 |
地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种钙钛矿与GaAs串联叠层太阳电池的制备方法,包括如下制备步骤:对GaAs单结电池片进行清洗干净;放入磁控溅射设备中进行磁控溅射,溅射一层中间传输层;使用匀胶机,依次形成空穴传输层、钙钛矿层、第一电子传输层、缓冲层;在缓冲层上蒸镀一层第二电子传输层,再蒸镀一层背电极。本发明综合了钙钛矿材料的开启电压高、制作简便、带隙可调的优点以及GaAs的弱光性能好、单节电池转化效率高的优点,将这两种性能优异的半导体材料结合起来形成了高转化效率的叠层太阳电池,利用二者吸光性能扩大太阳电池的光谱吸收范围从而可以进一步增加太阳电池对于光线的吸收,实现了高性能的太阳电池的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 gaas 串联 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的