[发明专利]监测光刻机漏光情况的方法有效
| 申请号： | 202011026687.8 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112034690B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 黄亦能;吴隆武;吴婷 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种监测光刻机漏光情况的方法，包括：对一测试晶圆进行正常投影曝光以形成m个正常投影区域；在正常投影曝光的过程中间隔加入n次超高能投影曝光，形成n个超高能投影区域，第n次超高能投影曝光时光刻机内部的杂散光会对与第n个超高能投影区域相邻的正常投影区域或超高能投影区域产生一次漏光影响；定义仅受到一次漏光影响的正常投影区域为待检测区域，所述测试晶圆上的任意一个超高能投影区域至少与一个待检测区域相邻；监测所述待检测区域的形貌和特征尺寸的变化情况，判断光刻机是否漏光并测算漏光的严重程度，其中，m≥n≥1，m、n均为整数。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 光刻 漏光 情况 方法 | ||
【主权项】：
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