[发明专利]一种集成电路管壳级真空封装性能测试方法在审
| 申请号： | 202011026830.3 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112269116A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 郑宇;方岚;李苏苏;谢玉巧;明源;向圆 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成电路管壳级真空封装性能测试方法，包括以下步骤：S1、MEMS陀螺微结构芯片初测，S2、MEMS陀螺微结构芯片粘片，S3、MEMS陀螺微结构芯片引线键合，S4、MEMS陀螺微结构芯片第二次测试，S5、MEMS陀螺微结构芯片激光打孔，S6、标定真空度与MEMS陀螺微结构芯片Q值的对应曲线，S7、管壳级真空封装，S8、MEMS陀螺微结构芯片第三次测试，S9、根据步骤S6标定的对应曲线，查找与步骤S8的Q值相对应的真空度，该真空度即是管壳级封装的真空度；该方法能够对管壳级封装后内部的真空度进行评价，从而验证封装或类似设备生产加工的产品内部实际的真空度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 管壳 真空 封装 性能 测试 方法 | ||
【主权项】：
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