[发明专利]基于聚精氨酸和聚谷氨酸逐层修饰的纳米孔制备pH响应的纳米流体二极管方法在审
| 申请号： | 202011035540.5 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112179955A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 安鹏荣;李君;谢彦博 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B82Y40/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于聚精氨酸和聚谷氨酸逐层修饰的纳米孔制备pH响应的纳米流体二极管方法，采用了逐层聚电解质静电吸附的方法修饰纳米孔的内表面。首先将PET膜进行化学刻蚀，得到单个锥形聚精氨酸修饰的纳米孔。聚精氨酸分子修饰的纳米孔在pH作用下，得到具有阴离子选择性的纳米流体二极管。聚谷氨酸分子上有大量的羧基，聚精氨酸与聚谷氨酸可以通过静电吸附的方法修饰在聚精氨酸分子层上，得到聚精氨酸和聚谷氨酸逐层修饰的纳米孔。聚精氨酸和聚谷氨酸逐层修饰的纳米孔在pH作用下，得到具有阳离子选择性的纳米流体二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 精氨酸 谷氨酸 修饰 纳米 制备 ph 响应 流体 二极管 方法 | ||
【主权项】：
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