[发明专利]一种C-SiC溅射靶材的形貌组分检测方法在审
| 申请号： | 202011036109.2 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112198183A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;李静云 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251;G01N23/2206;G01N23/20091;G01N23/20;G01N23/20008;G01N23/2202 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种C‑SiC溅射靶材的形貌组分检测方法，所述形貌组分检测方法包括对C‑SiC溅射靶材依次进行抛光和喷金，之后进行SEM及EDS检测。本发明提供的检测方法，通过对检测前样品的合理预处理如抛光和喷金，可以准确的观察到靶材的微观结构，获得准确的EDS结果，EDS计数率可达10000以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 溅射 形貌 组分 检测 方法 | ||
【主权项】：
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