[发明专利]一种提高芯片平整度的去层方法在审
| 申请号： | 202011037621.9 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112198416A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 曹茂庆;杨领叶;姚培胜;丁德建;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高芯片平整度的去层方法，提供用于失效分析的芯片并确定失效分析的目标区域及失效分析的层；手动研磨目标区域，并研磨至目标区域出现梯度为止；在目标区域的所述梯度位置处填充Pt介质以平整研磨表面；对填充Pt介质后的目标区域继续手动研磨，若研磨至去除了失效分析的层以上的全部金属层时还未出现梯度，则研磨停止在失效分析的层上表面的介质层上；若研磨再次出现梯度则再次填充Pt介质直至将失效分析的层研磨出为止。本发明通过在研磨时出现梯度处填充一层介质，防止研磨梯度进一步增加，同时避免化学试剂腐蚀下层金属，大大提高样品的去层平整度，从而提高失效分析的效率和成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 芯片 平整 方法 | ||
【主权项】：
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