[发明专利]芯片腔体的加工方法以及半导体激光器有效
| 申请号： | 202011038284.5 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112366516B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 游顺青;许海明;唐琦 | 申请（专利权）人： | 武汉光安伦光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/185 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 胡建文 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种芯片腔体的加工方法，包括S1，先对芯片腔体进行烘烤；S2，待烘烤完成后，再对芯片腔体的出光腔面进行第一次离子清洗；S3，待清洗完成后，于出光腔面上镀高透膜，高透膜至少包括覆盖在出光腔面上的第一SiO保护层；S4，待镀膜完成后，再对芯片腔面的背光腔面进行第二次离子清洗；S5，待清洗完成后，于背光腔面上镀高反膜，高反膜至少包括覆盖在背光腔面上的第二SiO保护层。还提供一种半导体激光器，包括上述芯片腔体的加工方法制得的芯片腔体。本发明采用SiO保护层提升产品腔面的致密性，降低膜层表面粗糙度，使膜系质量整体提升，降低电子束蒸发造成的柱状晶结构，减少水气及氧气渗透到半导体腔面的影响，提升高速芯片的寿命及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 加工 方法 以及 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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