[发明专利]高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202011038645.6 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112614783A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 山村拓嗣;西口贤弥;住吉和英 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/02;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管。所述制造高电子迁移率晶体管的方法包括以下步骤：以700℃或以上且900℃或以下的第一炉温度，通过低压化学气相沉积法，在由氮化物半导体组成并且包括阻挡层的半导体叠层的表面上形成第一SiN膜；以700℃或以上且900℃或以下的第二炉温度且炉压力为1Pa或以下，通过炉中的水分和氧气，在第一SiN膜上形成界面氧化层；以700℃或以上且900℃或以下的第三炉温度，通过低压化学气相沉积法，在界面氧化层上形成第二SiN膜。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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