[发明专利]像素结构及其制备方法有效
申请号: | 202011039667.4 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112133732B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 李哲 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 李浩 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种像素结构,包括:呈阵列排布的多个像素单元,每个所述像素单元包括:沿阵列排布的对角线方向排列的第一子像素、第二子像素和第三子像素;其中,同一行的两个相邻的所述像素单元对称设置,同一列的两个相邻的所述像素单元对称设置,每个所述第一子像素和每个所述第三子像素为四个所述像素单元共用;其中,所述第二子像素的形状与所述对角线方向上相邻的所述第一子像素和所述第三子像素之间的间隙区域的形状相适配。由于第二子像素的形状与对角线方向上相邻的第一子像素和第三子像素之间的间隙区域的形状相适配,与现有技术中的相同PPI像素排布方式相比,使得相同PPI提高开口率,提高出光效率越高,降低单位点电流越大,延长寿命。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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