[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法在审
申请号: | 202011039795.9 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112951826A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | N·考希克;F·A·席赛克-艾吉;D·C·潘迪 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含集成组合件,所述集成组合件具有存储器阵列且具有沿着第一方向延伸穿过所述存储器阵列的数字线。绝缘间隔件沿着所述数字线的侧壁。所述绝缘间隔件沿着所述数字线连续地延伸穿过所述存储器阵列。导电区域通过介入区域与所述数字线横向地间隔开。所述导电区域被配置为沿着所述第一方向彼此间隔开的分段。所述介入区域包含所述绝缘间隔件的区域且包含邻近所述绝缘间隔件的所述区域的空隙区域。所述空隙区域被配置为沿着所述第一方向通过绝缘结构彼此间隔开的空隙区域分段。存储元件与所述导电区域相关联。一些实施例包含形成集成组合件的方法。 | ||
搜索关键词: | 集成 组合 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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