[发明专利]一种大功率热源芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011039952.6 申请日: 2020-09-28
公开(公告)号: CN112345111B 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 张剑;卢茜;向伟玮;李阳阳;蒋苗苗;朱晨俊;王文博 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
主分类号: G01K7/18 分类号: G01K7/18;G01K1/14
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 贾年龙
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种大功率热源芯片,芯片表面同时具有薄膜模拟热源电阻和薄膜温度传感器;温度传感器包覆在模拟热源电阻内部或集成在模拟热源电阻底部;薄膜温度传感器的电阻值远大于模拟热源电阻,且其分布位置根据高密度集成封装的散热结构来确定。通过将温度传感器包覆在模拟热源电阻内部或集成在模拟热源电阻底部的方式,在实现大功率发热的同时,实时测量整个芯片的温度梯度,从而准确分析高密度集成封装的散热能力。
搜索关键词: 一种 大功率 热源 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
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