[发明专利]谐振器及其形成方法在审
| 申请号： | 202011040491.4 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN114337584A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李伟;黄河;罗海龙 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种谐振器及其形成方法，谐振器的形成方法包括：提供压电叠层结构，压电叠层结构包括第一区域和环绕第一区域的第二区域，压电叠层结构具有第一面和与第一面相背的第二面；在压电叠层结构的第一面上形成第一介电层；提供第一衬底，所述第一衬底的顶部具有顶部掺杂区；将第一介电层和第一衬底的顶部相键合；在压电叠层结构的第二面上形成第二介电层；刻蚀第二区域的第一介电层、压电叠层结构以及第二介电层，形成露出顶部掺杂区的第一开口和第二开口；在第一开口和第二开口中分别形成第一插塞和第二插塞。在谐振器工作时，第一插塞用于将后段的静电流引致第一衬底上，快速将肖特基二极管击穿，将后段的静电释放掉，有利于提高谐振器的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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