[发明专利]一种半导体器件的制备方法、半导体结构有效
| 申请号： | 202011041418.9 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112164697B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 毛格;宋锐;吕术亮;熊攀;李远 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨丽爽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法、半导体结构，在衬底上形成氮化钛层，对氮化钛层进行氮化处理，以使得氮化钛层在(111)晶面的末端键为N键，而后在氮化钛层上形成导电层。这样，对氮化钛层进行氮化处理，有助于带出氮化钛层中的缺陷，使得形成的氮化钛层中的缺陷更少，致密性和连续性较高。并且，由于氮化处理之后，氮化钛层的结晶取向趋向于在(111)晶面的末端形成N键，有利于在氮化钛层上生长结构致密的导电层，进而有利于提高器件结构和性能的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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