[发明专利]一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺在审
申请号: | 202011041841.9 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112079630A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 成彪;田茂标;刘瑞生;周开明;徐勇 | 申请(专利权)人: | 成都万士达瓷业有限公司 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/64;B24B1/00 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 苏丹 |
地址: | 611332 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺,其特征在于制造步骤如下:A.对陶瓷基片进行尺寸检测;B.将尺寸合格的基片进行生烧,所述生烧的温度变化范围为:初始120度,到达最高温度1665度之后逐步降温到120度,生烧时间为56小时;C.步骤B之后将生烧后的基片进行除砂,除砂完毕之后进行密度检测;D.步骤C中密度检测完毕之后进行白片初分步骤;E.对初分后的白片进行压烧;F.待步骤E中压烧完毕之后对经过压烧的基片进行磨片,打磨之后进行尺寸检测;G.待步骤F中尺寸检测合格之后进行煅烧;H.将经过步骤G煅烧之后的基片进行白片成分。 | ||
搜索关键词: | 一种 al2o3 陶瓷 烧结 工艺 | ||
【主权项】:
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