[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011042951.7 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112186081B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在p型GaN层与p型接触层之间增加插入层，插入层包括依次层叠在p型GaN层上的Mg量子点层与第一GaN层。Mg量子点层包括多个分布在p型GaN层上的多个Mg量子点，多个Mg量子点与p型GaN层及第一GaN层之间的界面会较为粗糙，可以增加光线在p型GaN层的界面处的漫反射，而减小光线在p型GaN层的界面处可能出现的全反射，从而提高光线的出射率。第一GaN层可以覆盖Mg量子点层较为粗糙的表面，保证在第一GaN层上生长的p型接触层的质量。最终得到的发光二极管外延片的出光率可以得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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