[发明专利]一种提高氮化硅陶瓷基板材料热导率和力学性能的硅热还原方法有效
| 申请号： | 202011043054.8 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112142476B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 曾宇平;王为得;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟;梁汉琴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高氮化硅陶瓷基板材料热导率和力学性能的硅热还原方法，包括：（1）将氮化硅粉、烧结助剂和硅粉混合，得到混合粉体，所述硅粉为单质Si，含量为氮化硅粉质量的0.1～5wt%；（2）将所得混合粉体压制成型，得到氮化硅陶瓷素坯；（3）将所得氮化硅陶瓷素坯置于真空气氛或氩气气氛中、1000～1400℃下进行预烧结处理，得到氮化硅坯体；（4）将所得预烧结处理后的氮化硅坯体于1800～2000℃下进行烧结处理，得到所述氮化硅陶瓷基板材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 陶瓷 板材 料热导率 力学性能 还原 方法 | ||
【主权项】：
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